องค์ประกอบความร้อนเตา

คุณสมบัติขององค์ประกอบความร้อนของเตา (แท่งซิลิคอนคาร์บอน)

คุณสมบัติทางกายภาพ
พื้นผิวส่วนประกอบ: แข็งและเปราะ ทนต่อความเย็นและความร้อนอย่างรวดเร็ว ไม่เปลี่ยนรูปง่ายที่อุณหภูมิสูง และคุณสมบัติทางกายภาพอื่น ๆ มีดังนี้:
ค่าการนำความร้อน: 20 kcal/meter · hour · องศา
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเชิงเส้น: 5 × 10-6 (m/ องศา )
คุณสมบัติทางเคมี
แท่งคาร์บอนซิลิคอนมีความคงตัวทางเคมีที่ดีและทนต่อกรดแก่ สารอัลคาไลน์มีฤทธิ์กัดกร่อนภายใต้สภาวะที่มีอุณหภูมิสูง
ส่วนประกอบแท่งคาร์บอนซิลิคอนสามารถทำปฏิกิริยากับออกซิเจนและไอน้ำได้สำหรับการใช้งานในระยะยาวที่สูงกว่า 1,000 องศาดังนี้
① ไฮไดรด์+2O2 → SiO2+CO2 2 ซิก+4H2O=SiO2+4H2+CO2
เป็นผลให้ปริมาณ SiO2 ในส่วนประกอบค่อยๆ เพิ่มขึ้น ส่งผลให้ความต้านทานและการเสื่อมสภาพเพิ่มขึ้นอย่างช้าๆ หากมีไอน้ำมากเกินไป มันจะส่งเสริมการเกิดออกซิเดชันของ SiC และ H2 ที่เกิดจากปฏิกิริยา 2 จะรวมกับ O2 ในอากาศเพื่อสร้างวงจรที่เลวร้าย ลดอายุการใช้งานของส่วนประกอบ ไฮโดรเจน (H2) สามารถลดความแข็งแรงเชิงกลของส่วนประกอบได้ ไนโตรเจน (N2) ที่มีอุณหภูมิต่ำกว่า 1,200 องศาสามารถป้องกันไม่ให้ SiC ออกซิไดซ์และทำปฏิกิริยากับ SiC ที่สูงกว่า 1,350 องศา ทำให้ SiC สามารถย่อยสลายคลอรีน (Cl2) และสลายตัวของ SiC ได้อย่างสมบูรณ์

คุณสมบัติของโมลิบดีนัม Disilicide

องค์ประกอบความร้อนไฟฟ้าโมลิบดีนัมไดซิลิไซด์เป็นองค์ประกอบความร้อนที่ใช้โมลิบดีนัมไดซิลิไซด์ (MoSi2) ซึ่งมีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยม เช่น ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน กันลมได้ดี ทนต่อแรงกระแทกจากความร้อน และอายุการใช้งานยาวนาน สามารถใช้เป็นองค์ประกอบความร้อนสำหรับเตาเผาอุตสาหกรรมที่มีอุณหภูมิสูง เช่น เซรามิก แก้ว โลหะวิทยา วัสดุแม่เหล็ก และวัสดุทนไฟ
เมื่อเทียบกับองค์ประกอบความร้อนแบบดั้งเดิม ข้อดีเฉพาะขององค์ประกอบความร้อน disilicide โมลิบดีนัมมีดังนี้:
1) อุณหภูมิการใช้งานสูง ในสภาพแวดล้อมที่มีอากาศ อุณหภูมิการใช้งานของส่วนประกอบประเภท 1700 คือ 1700 องศา และอุณหภูมิการใช้งานของส่วนประกอบประเภท 1800 คือ 1800 องศา และสามารถใช้งานได้นาน
2) อัตราการทำความร้อนอย่างรวดเร็วสามารถเพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิห้องเป็นอุณหภูมิที่ใช้สำหรับการทำงานภายในไม่กี่ชั่วโมง สาเหตุหลักมาจากการนำความร้อนที่ดีของ MoSi2
3) ที่อุณหภูมิสูง จะไม่เปลี่ยนรูปหรือออกซิไดซ์ได้ง่าย สาเหตุหลักมาจากค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนเล็กน้อยของ MoSi2 และการก่อตัวของชั้นฟิล์ม SiO2 บนพื้นผิวที่อุณหภูมิสูงเพื่อป้องกันการเกิดออกซิเดชันเพิ่มเติม
4) การใช้พลังงานต่ำ เมื่อเปรียบเทียบกับองค์ประกอบความร้อน เช่น อิเล็กโทรดกราไฟท์ สามารถประหยัดไฟฟ้าได้มากกว่า 10% สาเหตุหลักมาจากความต้านทานที่ต่ำกว่าของ MoSi2 ซึ่งก็คือ 2 × 10-5 Ω· cm